在上個月21日舉辦的英特IFS Direct Connect活動中，英特爾分享了Intel 18A工藝之後的每瓦密度計劃，公布了新的提升提高工藝路線圖，新增了Intel 14A製程技術和數個專業節點的逻辑演化版本。與原來不同的英特是，英特爾打算在Intel 14A才引入High-NA EUV光刻技術，每瓦密度而不是提升提高Intel 18A。

據SeDaily報道，近日英特爾高級副總裁Anne Kelleher在SPIE 2024光學與光子學會議上透露，英特Intel 14A比Intel 18A工藝每瓦性能提升15%，每瓦密度而增強型的提升提高Intel 14A-E會在Intel 14A基礎上帶來額外5%的提升。與Intel 18A工藝相比，逻辑Intel 14A工藝的英特晶體管邏輯密度提高了20%。

按照英特爾的每瓦密度新計劃，Intel 14A工藝最快會在2026年到來，提升提高而Intel 14A-E工藝則是2027年，不過至今英特爾都沒有宣布任何基於Intel 14A和Intel 14A-E工藝的產品。雖然英特爾在晶圓代工領域視台積電（TSMC）為競爭對手，不過目前來看，其客戶端處理器越來越多的模塊交由台積電製造，可能還包括最為核心的計算模塊。

英特爾在去年6月的“代工模式投資者網絡研討會”上，介紹了內部晶圓代工業務模式的轉變，從2024年第一季度開始將設計與製造業務分離，內部設計部門與製造業務部門之間將建立起“客戶-供應商”的關係，後者將單獨運營，且財報獨立。英特爾希望在2030年之前超越三星，成為晶圓代工領域的第二大廠商。